光刻
Contact Aligner 1:1
最小线宽：1um
对准精度：1um（顶部对准）& 2um（底部对准）
兼容4英寸和6英寸晶圆
Lift-Off
键合
Si-Glass阳极键合
Si-Si直接键合
Glass-Si-Glass三层键合
Si-Glass-Si三层键合
金属共∴晶键合
热压键合
粘结剂键合
干法刻蚀
深硅刻蚀（深宽比☆高于35:1）
金属刻蚀（Au、Ti）
Poly Si刻蚀
SiO2刻蚀
SiN刻蚀
Si牺牲层释放（气相XeF2）
湿法腐蚀
晶圆清洗（RCA标准清洗）
光刻胶去除（硫酸、去胶液）
金属腐蚀（Au、Cr、Al、Ni、TiN）
SiO2腐蚀
SiN腐蚀
厚金属剥◆离
KOH/TMAH腐蚀台阶
KOH/TMAH硅片减薄
金属↓膜工艺
溅射Ti、Pt、Au、Al、Cu、Cr
溅射AlN、TiN、ITO
蒸发Ti、Pt、Au、Al、Ni、Cr
电镀Au、Cu、Ni、合金
薄膜工艺
热生长SiO2
PECVD 沉积SiO2
PECVD 沉积 SiN
LPCVD 生长SiN
LPCVD 生长SiO2
LPCVD 生长Poly Si
掺杂注入
硼注入
磷注入
硼扩散
磷扩散
封装测试
自动划片
手动贴片
引线键合
SEM
白光干涉
膜厚█台阶测量
应力分析
电学性能量】测
3D成像测量
